硅片上的二氧化硅的厚度测量_应用案例_安目赛思（南通）科技有限公司

硅片是集成电路制造中不可缺少的基础材料，其表面被氧化后形成的二氧化硅薄膜（SiO₂）在硅片制造中具有非常重要的作用，通过控制氧化条件和薄膜厚度，可以调节硅片的电学性能和稳定性，保护硅片不受污染和氧化反应的影响。膜层一般都很薄，根据使用场景的不同，对于膜厚的控制尤为关键，然而目前适用于这类薄膜厚度分析的主流手段：椭圆偏振分析法，需要非常繁琐的测量准备工作和数据分析过程，因此存在效率低制约检测和产品数量的问题。

CoatPro针对这种极薄的膜层材质也有着高精度的测量性能，如图所示的案例，SiO₂涂层厚度1-3微米，CoatPro测量重复精度可达±0.07微米，而且测量只需要最多1秒！远远高于椭圆偏振分析的膜厚测量速度，让用户的检测工作大幅简化的同时还实现几十倍的测量效率提升。